
性能特点:
测量参数:Ciss、Coss、Crss、Rg(MOSFET)、Cies、Coes、Cres、Rg(IGBT)
通道数:2-6
VGs范围:0-±40V
VDs范围:0-±200V/±1500V/±3000V
测试频率:1kHZ-2MHZ

测量参数:Ciss、Coss、Crss、Rg(MOSFET)、Cies、Coes、Cres、Rg(IGBT)
通道数:2-6
VGs范围:0-±40V
VDs范围:0-±200V/±1500V/±3000V
测试频率:1kHZ-2MHZ

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